RJK03M5DNS-00#J5

Renesas Electronics America Inc

RJK03M5DNS-00#J5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta)
最大功耗15W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-HWSON (3.3x3.3)

环境

工作温度150°C(TJ)