RJK03C1DPB-00#J5

Renesas Electronics America Inc

RJK03C1DPB-00#J5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

停产/老旧SC-100, SOT-669模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 30A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Body)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
最大功耗65W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
供应商器件封装LFPAK

环境

工作温度150°C(TJ)