RJK0236DPA-00#J5A

Renesas Electronics America Inc

RJK0236DPA-00#J5A

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN

停产/老旧8-WFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6130 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta)
最大功耗50W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-WFDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-DFN (5x6)

环境

工作温度150°C(TJ)