NP75N04YLG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

NP75N04YLG-E1-AY

Datasheet

模拟与电源

ABU / MOSFET

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6450 pF @ 25 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Ta)
最大功耗138W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-HSON (5x5.4)

环境

工作温度175°C