NP16N06YLL-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

NP16N06YLL-E1-AY

Datasheet

模拟与电源

ABU / MOSFET

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗1.25W (Ta), 27.3W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装8-HSON (5x5.4)

环境

工作温度175°C