HAT2201WP-EL-E

Renesas Electronics America Inc

HAT2201WP-EL-E

模拟与电源

15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-WPAK

环境

工作温度150°C(TJ)