HAT2173N-EL-E

Renesas Electronics America Inc

HAT2173N-EL-E

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK

停产/老旧8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 20mA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta)
最大功耗30W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-LFPAK-iV

环境

工作温度150°C(TJ)