HAT2054M-EL-E

Renesas Electronics America Inc

HAT2054M-EL-E

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Ta)
最大功耗1.05W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度150°C