2SK3479-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America Inc

2SK3479-Z-E1-AZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 83A TO-263

已停产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 42A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C83A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta), 125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263, TO-220SMD

环境

工作温度150°C(TJ)