2SK2225-E

Renesas Electronics America Inc

2SK2225-E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM

在产TO-3PFM, SC-93-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 1A, 15V
基础料号2SK2225
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds984.7 pF @ 30 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大功耗50W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
供应商器件封装TO-3PFM

环境

工作温度150°C(TJ)