2SK3357-A

Renesas

2SK3357-A

模拟与电源

2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET

停产/老旧TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9800 pF @ 10 V
制造商Renesas
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Ta)
最大功耗3W (Ta), 150W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P (MP-88)

环境

工作温度150°C