通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 10 V |
| 制造商 | Renesas |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| 最大功耗 | 20W (Tc) |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | DPAK(L)-(2) |
环境
| 工作温度 | 150°C |
|---|