2SJ358-T1-AZ

Renesas

2SJ358-T1-AZ

模拟与电源

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET

停产/老旧TO-243AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 10 V
制造商Renesas
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-243AA
供应商器件封装MP-2

环境

工作温度150°C