通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | P3M |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1700 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A |
| 最大功耗 | 51W |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220F-2 |
| 供应商器件封装 | TO-220F-2L |
环境
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
|---|