P3M12080G7

PN Junction Semiconductor

P3M12080G7

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs96mOhm @ 20A, 15V
FET TypeN-Channel
制造商PN Junction Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列P3M
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 30mA (Typ)

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A
最大功耗136W

机械

封装Tape & Reel (TR)
供应商器件封装D2PAK-7

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)