P3M12040G7

PN Junction Semiconductor

P3M12040G7

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 69A TO-263-7

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 40A, 15V
FET TypeN-Channel
制造商PN Junction Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列P3M
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 40mA (Typ)

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A
最大功耗357W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装D2PAK-7

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)