通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4.5A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | P3M |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A |
| 最大功耗 | 32W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DFN8*8 |
| 供应商器件封装 | DFN8*8 |
环境
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
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