通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 20A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | P3M |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20mA (Typ) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A |
| 最大功耗 | 159W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 供应商器件封装 | D2PAK-7 |
环境
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
|---|