通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | P3M |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 7.5mA (Typ) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68A |
| 最大功耗 | 254W |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-4 |
| 供应商器件封装 | TO-247-4L |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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