通用
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 系列 | P3D |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 21A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 44 µA @ 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| 供应商器件封装 | TO-220-2 |
环境
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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