通用
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| 最大功耗 | 55.5W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| 供应商器件封装 | DFN8*8 |
环境
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|