PSMP055N08NS1_T0_00601

Panjit International Inc

PSMP055N08NS1_T0_00601

Datasheet

模拟与电源

80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4773 pF @ 40 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C111A (Tc)
最大功耗136W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB-L

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)