PSMB050N10NS2_R2_00601

Name: PSMB050N10NS2_R2_00601
Brand: Panjit International Inc

模拟与电源

100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET

在产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 50A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3910 pF @ 50 V
制造商	Panjit International Inc.
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 270µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tj)
最大功耗	138W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	TO-263

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)