PJW4P06A_R2_00001

Name: PJW4P06A_R2_00001
Brand: Panjit International Inc

模拟与电源

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	785 pF @ 30 V
制造商	Panjit International Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PJW
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
最大功耗	3.1W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)