PJT7601_R1_00001

Panjit International Inc

PJT7601_R1_00001

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
基础料号PJT7601
配置N and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds67pF @ 10V, 38pF @ 10V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Power - Max350mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SOT-363

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)