PJS6806_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6806_S1_00001

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 4A SOT23-6

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 4A, 10V
基础料号PJS6806
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235pF @ 15V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Power - Max1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)