PJS6404_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6404_S1_00001

Datasheet

模拟与电源

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds343 pF @ 15 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)