PJS6401_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6401_S1_00001

Datasheet

模拟与电源

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs71mOhm @ 4.6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds637 pF @ 15 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-23-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)