PJQ5866A_R2_00001

Name: PJQ5866A_R2_00001
Brand: Panjit International Inc

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 20A, 10V
基础料号	PJQ5866
配置	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1574pF @ 25V
制造商	Panjit International Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max	1.7W (Ta), 56W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)