PJQ5850_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5850_R2_00001

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 40V 5A/14A 8DFN

已停产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 8A, 10V
基础料号PJQ5850
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds425pF @ 25V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态Not For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 14A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 12W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装DFN5060B-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)