PJQ5846_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5846_R2_00001

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 40V 9.5A/40A 8DFN

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 8A, 10V
基础料号PJQ5846
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1258pF @ 25V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 32W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装DFN5060B-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)