PJQ5844_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5844_R2_00001

Datasheet

模拟与电源

40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 15A, 10V
基础料号PJQ5844
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1759pF @ 25V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 45A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 32W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装DFN5060B-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)