PJQ5462A_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5462A_R2_00001

Datasheet

模拟与电源

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2142 pF @ 25 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta), 42A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 60W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装DFN5060-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)