PJQ2800_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ2800_R1_00001

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN

在产6-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.2A, 4.5V
基础料号PJQ2800
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds515pF @ 10V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta)
Power - Max1.45W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN2020-6L

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)