PJQ1906_R1_00201

Panjit International Inc

PJQ1906_R1_00201

Datasheet

模拟与电源

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

在产3-UFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 10 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-UFDFN
供应商器件封装DFN1006-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)