PJL9480_R2_00001

Panjit International Inc

PJL9480_R2_00001

Datasheet

模拟与电源

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1764 pF @ 30 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大功耗2.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)