PJD14P10A_L2_00001

Panjit International Inc

PJD14P10A_L2_00001

Datasheet

模拟与电源

100V P-CHANNEL MOSFET

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2298 pF @ 30 V
制造商Panjit International Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta), 14A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 60W (Tc)

机械

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)