SCH1430-TL-W

onsemi

SCH1430-TL-W

Datasheet

模拟与电源

SCH1430 - POWER MOSFET, 20V, 2A

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds128 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大功耗800mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563/SCH6

环境

工作温度150°C (TJ)