RFG60P05E

onsemi

RFG60P05E

模拟与电源

MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3

停产/老旧TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 60A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs450 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7200 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗215W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)