通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1A, 5V |
|---|---|
| 基础料号 | RFD4N |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| 最大功耗 | 30W (Tc) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|