RFD16N05LSM

onsemi

RFD16N05LSM

模拟与电源

MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 16A, 5V
基础料号RFD16
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250mA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗60W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)