通用
| 输出类型 | Phototransistor |
|---|---|
| 基础料号 | OPB706 |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.05" (1.27mm) |
| Sensing Method | Reflective |

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 输出类型 | Phototransistor |
|---|---|
| 基础料号 | OPB706 |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.05" (1.27mm) |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 µA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-DIP Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
|---|