NXH020F120MNF1PTG

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

Datasheet

模拟与电源

SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 50A, 20V
基础料号NXH020
配置4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs213.5nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2420pF @ 800V
制造商onsemi
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Power - Max119W (Tj)

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装22-PIM (33.8x42.5)

环境

工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)