NVTYS029N08HTWG

onsemi

NVTYS029N08HTWG

Datasheet

模拟与电源

T8 80V N-CH SG IN LFPAK33

在产SOT-1205, 8-LFPAK56模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs32.4mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds369 pF @ 40 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta), 21A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 33W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装8-LFPAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)