NVTFS6H888NLTAG

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds258 pF @ 40 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 15µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta), 14A (Tc)
最大功耗2.9W (Ta), 23W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-WDFN (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)