NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

NVMYS6D2N06CLTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

在产SOT-1023, 4-LFPAK模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 53µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 71A (Tc)
最大功耗3.6W (Ta), 61W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装LFPAK4 (5x6)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101