NVMYS2D3N06CTWG

onsemi

NVMYS2D3N06CTWG

Datasheet

模拟与电源

T6 60V SL LFPAK4 5X6

在产SOT-1023, 4-LFPAK模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3584 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 180µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.7A (Ta), 171A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 134.4W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101