NVMTS0D6N04CLTXG

onsemi

NVMTS0D6N04CLTXG

Datasheet

模拟与电源

T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.42mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16013 pF @ 20 V
制造商onsemi
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
最大功耗5W (Ta), 245W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101