NVMJD015N06CLTWG

onsemi

NVMJD015N06CLTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK

在产SOT-1205, 8-LFPAK56模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.4mOhm @ 17A, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds643pF @ 30V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 25µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.1A (Ta), 35A (Tc)
Power - Max3.1W (Ta), 37W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装8-LFPAK

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101