NVMFWS0D5N04XMT1G

onsemi

NVMFWS0D5N04XMT1G

Datasheet

模拟与电源

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.52mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 240µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C423A (Tc)
最大功耗163W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)